cpu——被誉为人类造物的巅峰。

当然，这个说法可能并没有经过准确的科学论证，但是也能从中看到芯片制造确实是最顶尖，科技含量最高的产业之一。

以新冠病毒为代表的病毒，其整体尺寸一般在300nm。

Intel长期被人嘲讽”已经落后“的工艺制程为14nm。

而最先进的手机芯片甚至已经到了3nm。

虽然相比生物体来说，芯片的复杂性相对较低，但是想做到细菌，病毒等生物体的同等尺寸也是绝不容易的。

……

谈及芯片制造就离不开“光刻机”——这个人类尖端科技的集大成者。

1956年，我国第一只晶体三极管诞生，自此与发达国家一样，中国也进入半导体新纪元。此时距离贝尔实验室研发的世界上第一只点接触三极管已经过去了9年。

195年我国第一枚锗晶体管试制成功。

1961年我国第一个集成电路研制课题组成立。

1962年我国第一代硅平面晶体管问世。

1965年，我国第一块集成电路在北京、石家庄和上海等地相继问世。其中包括中国科学院半导体研究所、河北半导体研究所(简称13所)、BJ市无线电技术研究所(简称沙河器件所)等。

1977年，中国恢复高考制度，中国年轻人被压抑10年的悸动与渴望得到释放，而正是在这一年，我国最早的光刻机GK3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。

当时的美国在20世纪50年代就已经拥有了接触式光刻机，期间相差了二十几年，并且在一年之后，GCA又推出真正现代意义的自动化步进式光刻机(Stepper)，分辨率比投影式高5倍达到1微米。

此时的光刻机巨头ASML还没有出现，RB的尼康和佳能已于60年代末开始进入这个领域。

之后一年，改革开放，也就是197年，1445所在GK3的基础上开发了GK4，把加工圆片直径从50毫米提高到75毫米，自动化程度有所提高，但还是没有摆脱接触式光刻机。

同一年，中国科学院半导体所开始研制JK1型半自动接近式光刻机，并在191年研制成功两台样机。

192年科学院109厂的KHA751光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年，而且从jkg系列至今仍再销售的情况来看，都具有不错的使用价值。

195年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国400DSW的水平。

按照这个时间节点算，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年(美国是197年)。

五十年代开了个好头，到六七十年代的时候，中国大陆的电子工业、半导体工业仅次于美国，领先于韩、台、日。

1979年上海元件五厂和无线电十四厂甚至成功仿制英特尔公司1974年推出的00CPU，比德国仿制成功还早一年。

一切都向着美好的方向发展，老一辈革命者和建造者奉献自己的青春，造就了中国的半导体产业，很多资料显示，当时中国的半导体产业虽然没有超越当时世界最先水平，但是差距并不大。

更重要的是，打造了从单晶制备、设备制造、集成电路制造的全产业链，基本不依赖国外进口，也就是说，中国以一国的供应链去追赶整个西方发达国家联盟的供应链。

要知道，当时英特尔也是用的RB的光刻机。

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被丢失的0年代：

然而0年代来了。

194年，实属平常也不平常的一年，有一些东西开始悄然发生改变。脱下朴素的衣着，年轻人开始穿喇叭裤跳霹雳舞，理发店永远排满人，那是个以梦为马的年代。

同年，苹果发布了营销史上最伟大的电视广告《194

还是这一年尼康已经和GCA平起平坐，各享三成市占率。Ultratech占约一成，Eaton、P&E、佳能、日立等剩下几家每家都不到5%。

就是这一年，日后的光刻机市场的绝对霸主ASML诞生了。

0年代底，中国开始奉行的“造不如买”的政策，一大批企业纷纷以“贸工技”为指导思想。产业抛却独立自主，自力更生的指导方针，盲目对外开放。

没有顶层设计，中国的集成电路在科研，教育以及产业方面出现了脱节，中国独立的科研和产业体系被摧毁，研发方面是单打独斗，科研成果转化成产品的微乎其微。

产业在硬件上沦为组装厂，为外资企业提供廉价劳动力；在软件上围绕国外制定的技术标准和技术体系马首是瞻，软件工程师转变为廉价的码农。

极其少数坚持独立自主路线的企业，在买办和外资的夹缝中求生存。

眼看他起朱楼，眼看他楼塌了，中国半导体在五十年代到七十年代创造的盛景成了泡沫。

覆巢之下无完卵，此时的光刻机产业又能好到哪里去？

虽然后续一直在跟进研发，但大环境的落后加上本来就与世界先进企业有差距，纵使中国在各个时间点上都有代表性成果，却终究没有在高端光刻机领域留下痕迹。

……

千禧年的醒悟：

九十年代，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，科学家和产业界一直在探讨超越193纳米的方案。

当然这个难点最后在2002年被台积电所攻破。

此时的中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。

这时候ASML已经开始EUV光刻机的研发工作，并于2010年研发出第一台EUV原型机，由三星、台积电、英特尔共同入股推动研发。

这时候的半导体产业突然活了过来，2000年之后，中国芯片进入了海归创业和民企崛起的时代：

中星微的邓中翰于1999年回国，中芯的张汝京于2000年回国，展讯的武平和陈大同于2001年回国，芯原的戴伟民于2002年回国，兆易的朱一明于2004年回国，他们带着丰富的经验和珍贵的火种，跳进了中国半导体行业的历史进程之中。

2002年，上海微电子装备有限公司承担了“十五”光刻机攻关项目，中电科45所把此前从事分步投影光刻机的团队迁到了上海，参与这个项目。

至2016年，上海微电子已经量产90纳米、110纳米和20纳米三种光刻机，其中性能最好的是90nm光刻机。目前，我国从事集成电路前道制造用光刻机的生产厂商只有上海微电子(SMEE)和中国电科(CETC)旗下的电科装备。

到这个节点，国际上已经放弃了157纳米的光源，除ASML掌握了EUV光源技术之外，其他各家使用的都是193纳米ArF光源，中国在这点上与除ASML之外的“外国”是同步的。

总结来说，中国光刻机研制起于70年代后期，初期型号为接触式或接近式光刻机，5年完成第一台分步光刻机，此后技术一直在推进，各个时间点均有代表性成果，并未出现所谓完全放弃研发的情况，但也并没有多大的起色。

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不知有多少人会可惜曾经失去的0，90年代……